Samsung mulai produksi massal QLC V-NAND 1Tb

Samsung adalah produsen utama chip penyimpanan, dan hari ini, perusahaan tersebut mempromosikan telah memulai produksi massal chip NAND terbarunya – QLC V-NAND generasi ke-9 dengan penyimpanan 1-Terabit (125GB).

Pada bulan April lalu, Samsung menjadi perusahaan pertama yang memproduksi massal V-NAND generasi ke-9 dengan teknologi TLC (triple-level mobile). Kini mereka meningkatkannya menjadi solusi quad-level mobile (QLC), yang memungkinkan penyimpanan 4 bit in step with sel dan karenanya menghasilkan chip fisik dengan penyimpanan yang lebih padat.

Hal ini menghasilkan kecepatan penulisan information dua kali lebih cepat dan pengurangan konsumsi daya untuk membaca dan menulis information masing-masing sebesar 30% dan 50%.

SungHoi Hur, Wakil Presiden Eksekutif dan Kepala Produk & Teknologi Flash, menyampaikan produksi massal ini tepat pada waktunya bagi Samsung untuk menjawab kebutuhan akan solusi SSD canggih di era AI.

Salah satu terobosan teknologi yang memungkinkan QLC V-NAND terwujud adalah Channel Hollow Etching. Samsung hingga jumlah lapisan yang lebih tinggi dengan struktur tumpukan ganda, dengan enviornment sel dan sirkuit periferal yang dioptimalkan, dengan begitu meningkatkan kepadatan mencapai 86% dibandingkan dengan generasi sebelumnya.

Samsung mengadopsi teknologi Designed Mould, yang memungkinkan keseragaman dan pengoptimalan karakteristik sel di seluruh dan dalam lapisan. Hasilnya, kinerja retensi information meningkat sebesar 20%, yang menghasilkan peningkatan keandalan produk.

Ada juga peningkatan dalam konsumsi daya sepanjang pembacaan dan penulisan information, dan solusi baru ini menggandakan kinerja penulisan melalui teknologi yang meminimalkan tindakan yang tidak perlu pada chip.

Chip QLC V-NAND umumnya digunakan dalam SSD. Solusi ini nantinya akan diperluas ke PC, SSD server untuk layanan cloud, dan Common Flash Garage, yang sebagian besar digunakan dalam ponsel pintar.

Sumber